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NP82N04PDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
8
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
7
6
I D = 41 A
Pulsed
V GS = 4.5 V
C iss
5
4
3
10 V
1000
C oss
2
1
0
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
40
12
100
t d(off)
t d(on)
30
20
V DD = 32 V
20 V
8V
10
8
6
10
V DD = 20 V
t r
t f
10
V GS
4
1
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
0
V DS
I D = 82 A
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
V GS = 10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
10
1
4.5 V
0V
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18396EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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